<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2024-29-4-504-513</article-id><article-id pub-id-type="risc">HFNWDY</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.3.049.774</article-id><article-categories><subj-group><subject>Схемотехника и проектирование</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Integrated voltage regulator with improved stability to noise in supply networks</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Интегральный регулятор напряжения, стабильный к шумам по цепям питания</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Волобуев Павел Сергеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Волобуев</surname><given-names>Павел Сергеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Volobuev</surname><given-names>Pavel S.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Pavel S. Volobuev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Коршунов Андрей Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Коршунов</surname><given-names>Андрей Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Korshunov</surname><given-names>Andrey V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Andrey V. Korshunov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Семенов Александр Николаевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Семенов</surname><given-names>Александр Николаевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Semenov</surname><given-names>Alexander N.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Alexander N. Semenov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7); Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7)</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2025-07-29" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>29</day><month>07</month><year>2025</year></pub-date><volume>Том. 29 №4</volume><fpage>504</fpage><lpage>513</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/Том 29 №4/integralnyy_regulyator_napryazheniya_stabilnyy_k_shumam_po_tsepyam_pitaniya/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru#</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>In modern communication devices, IC developers widely use power management schemes. The linear voltage regulators inclusion in the ICs not only allows the voltage levels forming but also helps to get a cleaner internal supply voltage. Classic regulators application leads to low power supply rejection ratio (PSRR), which requires special solutions to get acceptable characteristics. In this work, the structure of Low-Dropout (LDO) regulator with reduced voltage drop between input and output and improved PSRR parameter is considered. The proposed solution provides PSRR level of up to 45 dB in the range of 1-10 MHz noise impact in the presence of valid reference voltage PSRR profile, leads to improvement in voltage regulator stability and finally results in a reduction of LDO regulator output noise.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>В современных коммуникативных устройствах разработчики ИС широко используют схемы управления питанием. Включение в состав ИС линейных регуляторов напряжения не только позволяет формировать уровни напряжения, но и дополнительно помогает получать более чистое внутреннее питающее напряжение. Применение классических регуляторов приводит к низкому коэффициенту подавления шумов напряжения питания &amp;#40;Power Supply Rejection Ratio, PSRR&amp;#41;, для получения приемлемых характеристик требуются особые решения. В работе рассмотрена структура LDO-регулятора &amp;#40;Low-Dropout&amp;#41; со сниженным падением напряжения между входом и выходом с улучшенным параметром PSRR. Предлагаемое решение обеспечивает уровень PSRR до 45 дБ в диапазоне 1-10 МГц частоты помехи с учетом профиля PSRR источника опорного напряжения, приводит к улучшению параметров стабильности регулятора напряжения и в итоге - к уменьшению выходных шумов LDO-регулятора.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>микроэлектроника</kwd><kwd>LDO-регулятор</kwd><kwd>шумы по цепям питания</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>microelectronics</kwd><kwd>linear voltage regulator</kwd><kwd>LDO</kwd><kwd>noise in supply networks</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант № 23-29-00518, https://rscf.ru/project/23-29-00518/) с использованием оборудования Центра коллективного пользования «Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники» на базе НПК «Технологический центр».</funding-statement><funding-statement xml:lang="ru">The work has been carried out with financial support of the Russian Science Foundation (project no. 23-29-00518, https://rscf.ru/en/project/23-29-00518/) and using equipment of Centre for collective use “Functional control and diagnostics of micro- and nanosystem technology” on the basis of the SMC “Technological Centre”.</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Zeng Z., Ye X., Feng Z., Li P. Tradeoff analysis and optimization of power delivery networks with on-chip voltage regulation // Design Automation Conference. Anaheim, CA: IEEE, 2010. P. 831-836.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Rincon-Mora G. A., Allen P. E. A low-voltage, low quiescent current, low drop-out regulator // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1998. Vol. 33. No. 1. P. 36-44. DOI: 10.1109/4.654935</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Milliken R. J., Silva-Martínez J., Sánchez-Sinencio E. Full on-chip CMOS low-dropout voltage regulator // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 2007. Vol. 54. No. 9. P. 1879-1890. DOI: 10.1109/TCSI.2007.902615</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Lee B. S. Understanding the stable range of equivalent series resistance of LDO regulator // Analog Applications Journal. 1999. Nov. P. 14-16.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Chen Y.-P., Tang K.-T. A fully integrated high-power-supply-rejection linear regulator with an output-supplied voltage reference // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 2020. Vol. 67. No. 11. P. 3828-3838. DOI: 10.1109/TCSI.2020.3008031 EDN: TMRXEA</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Evolution of low drop out voltage regulator in CMOS technologies / N. B. Mustafa, S. Amin, M. B. I. Reaz et al. // Przegląd Elektrotechniczny. 2015. No. 12. Art. No. 95242. DOI: 10.15199/48.2015.12.06</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Huang C.-H., Liao W.-C. A high-performance LDO regulator enabling low-power SoC with voltage scaling approaches // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 2020. Vol. 28. No. 5. P. 1141-1149. DOI: 10.1109/TVLSI.2020.2972904 EDN: FHNJDT</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">An external capacitorless low-dropout regulator with high PSR at all frequencies from 10 kHz to 1 GHz using an adaptive supply-ripple cancellation technique / Y. Lim, J. Lee, S. Park et al. // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2018. Vol. 53. No. 9. P. 2675-2685. DOI: 10.1109/JSSC.2018.2841984</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Choe Y.-J., Nam H., Park J.-D. A low-dropout regulator with PSRR enhancement through feed-forward ripple cancellation technique in 65 nm CMOS process // Electronics. 2020. Vol. 9. Iss. 1. Art. No. 146. DOI: 10.3390/electronics9010146 EDN: QSLCWX</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">PSR enhancement through super gain boosting and differential feed-forward noise cancellation in a 65-nm CMOS LDO regulator / Y.-S. Yuk, S. Jung, C. Kim et al. // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 2014. Vol. 22. No. 10. P. 2181-2191. DOI: 10.1109/TVLSI.2013.2287282</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
